2022年广东工业大学841半导体物理硕士研究生考研考试大纲

发布时间:2021-09-27 编辑:考研派小莉 推荐访问:
2022年广东工业大学841半导体物理硕士研究生考研考试大纲

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2022年广东工业大学841半导体物理硕士研究生考研考试大纲 正文

基本内容:(300字以内)
1.半导体的电子状态:半导体的晶格结构和能带结构,导带,价带,禁带宽度,有效 质量、空穴。已知电子的能带E(k)关系,计算电子或空穴在某个状态具有的能量,有效质 量、准动量和速度等物理量。理解直接带隙半导体和间接带隙半导体的概念。
2.半导体中的杂质和缺陷能级:能用共价键模型和能带模型解释施主杂质和受主杂质 的电离过程,杂质能级和电离能。理解施主杂质和受主杂质在半导体中的作用。
3.半导体中的载流子的统计分布:理解状态密度,费米能级,费米分布函数,理解 简并半导体和非简并半导体的概念。熟练掌握不同温度和不同掺杂浓度下,半导体中的电 子和空穴浓度及费米能级的计算方法。理解低温弱电离区、强电离饱和区、过渡区和高温 本征激发区半导体的特征
4.半导体的导电性:漂移运动和漂移电流,迁移率,散射,迁移率与杂质浓度和温度 的关系,电阻率与杂质浓度和温度关系
5.载流子的注入与复合:非平衡载流子的产生和复合过程及其复合规律,非平衡少子 的寿命,准费米能级、载流子的扩散运动和扩散电流,熟练掌握用连续性方程求解少子的 运动和分布规律。
6.半导体的霍耳效应。
题型要求及分数比例:(学术学位、专业学位硕士生满分均150分)
基本概念题(25分)
填空和判断题(25分)
计算题(60分)
综合分析题(20分)
画图题(20分)(用图形形象表达半导体物理的基本概念和基本物理过程,如空穴,载

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