南邮电子科学与工程学院导师:王伟

发布时间:2021-11-22 编辑:考研派小莉 推荐访问:
南邮电子科学与工程学院导师:王伟

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南邮电子科学与工程学院导师:王伟 正文


个人简介
王伟(1964年5月-),男,副教授。毕业于东南大学,获生物医学工程专业工学博士学位。现在南京邮电大学电子科学与 工程学院从事纳电子器件的科研教学工作,主要研究方向是纳电子器件量子输运的建模仿真。现主持一项江苏省高校自然科学研究面上项目“Graphene- based新型自旋场效应管研究(No 10KJD510006)”,另外,作为主要参加者参与一项江苏省高校自然科学研究面上项目“新型石墨烯材料结构及量子自旋霍尔效应研(No 10KJD510005)”。近年来,在国内外学术刊物上发表论文30余篇, 其中包括IEEE Transactions on Electron Devices,Solid State Electronics,Superlattices and Microstructures等国际核心期刊。

研究方向及主要成果
研究方向:纳电子学,图像处理

近期发表的主要学术论文
[1]Wei Wang, Ning Gu, J.P. Sun , and P. Mazumder. Gate Current Modeling of High-k Stack Nanoscale MOSFETs. Solid State Electronics 2006, 50(9) :1489-1494. (Sci, Ei收录)
[2]Wei Wang, Jianhui Liao, Jianping Sun, and Ning Gu. Simulation of the electrical characteristics of a one-dimensional quantum dot array. Superlattices and Microstructures, 2008,44 (6): 721-727. (Sci, Ei收录)
[3]J. P. Sun, Wei Wang, Toru Toyabe, Ning Gu, and Pinaki Mazumder. Modeling of Gate Current and Capacitance in Nanoscale-MOS Structures, IEEE Transactions on Electron Devices 2006, 53(12): 2950-2957. (Sci, Ei收录)
[4]Wang Wei , Sun Jianping, and Gu Ning. Modeling of Gate Tunneling Current for Nanoscale MOSFETs with High-k Gate Stacks, Chinese Journal of Semiconductors , 2006, 27(7) :1170-1176. (Ei收录)
[5]Wei Wang, J. P. Sun, Toru Toyabe, Ning Gu, and Pinaki Mazumder. Modeling of high-k gate stack of tunnel barrier in nonvolatile memory MOS structure, IEEE nano 2008, 8th IEEE Conference on Nanotechnology, 2008: 3-5. (Ei收录)
[6]王伟, 黄岚, 张宇, 李昌敏, 张海黔, 顾宁, 沈浩瀛, 陈堂生, 郝丽萍, 彭力, 赵丽新. 用分子自组装技术制备的单电子器件的Monte Carlo 模拟. 物理学报, 2002, 51(1): 63-67.(Sci, Ei收录)
[7]王伟, 张海黔, 顾宁. 随机背景极化电荷对单电子电路影响的分析.固体电子学研究与进展, 2003, 23(1): 14-17.(Ei收录)
[8]王伟, 孙建平, 顾宁. 基于氧化铪的栅介质纳米MOSFET栅电流模型. 固体电子学研究与进展, 2006, 26(4): 436-440. (Ei收录)
[9]王伟, 孙建平, 徐丽娜 ,顾宁. 减少纳米MOS器件栅电流的研究分析. 电子器件, 2006, 29(3): 617-619. (Ei收录)
[10]王伟, 孙建平,顾宁. 纳米级MOSFET隧穿栅电流量子模型. 微电子学. 2006, 36(5): 622-625.
[11]王伟, 孙建平, 顾宁. 纳米双栅MOSFET的量子格林函数模拟. 东南大学学报, 2006, 36(6): 917-919. (Ei收录)
[12]王伟,孙建平,顾宁. 高k介质纳米MOSFET栅电流和电容模型. 南京邮电大学学报, 2006, 26(6): 6-10. (Ei收录)
[13]王伟, 孙建平,顾宁. 纳米MOS器件栅泄漏电流的模拟分析,第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议论文集,2007: 740-742.
[14]王伟,廖建辉,孙建平,顾宁. 一维纳米颗粒链电学特性的格林函数模拟,2007纳米和表面科学与技术全国会议论文集,2007: 79-79.
[15]王伟. 纳米MOS 器件的设计模型. 电气电子教学学报, 2006, 28(10): 57-60.

联系方式
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单位电话:025-85866408
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