2021成都信息工程大学微电子技术基础研究生复试大纲

发布时间:2021-01-23 编辑:考研派小莉 推荐访问:
2021成都信息工程大学微电子技术基础研究生复试大纲

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2021成都信息工程大学微电子技术基础研究生复试大纲 正文

附件5:
 2021 年硕士研究生入学考试自命题科目
考试大纲
考试阶段:复试 科目满分值:100
考试科目:微电子技术基础 科目代码:
考试方式:闭卷笔试 考试时长:180分钟
一、科目的总体要求
《微电子技术基础》主要由半导体器件物理和集成电路工艺两部分内容构成,本科目主要考察学生对《微电子技术基础》基本概念、基本方法、基本理论的掌握,要求能解释、分析并解决相关问题。
二、考核内容与考核要求
1、半导体能带基础及导电性
(1)能带的形成(了解);
(2)半导体中的载流子(掌握);
(3)三维无限晶体的能带(理解);
(4)平衡载流子浓度(掌握);
(5)载流子的漂移、迁移率(理解)。
2、PN结
(1)平衡PN结能带及参数(掌握)
(2)正偏、反偏PN结(理解)
3、双极型晶体管
(1)晶体管工作原理(理解);
(2)双极型晶体管静态特性(理解);
4、MOSFET器件
(1)理想MOS结构(理解)
(2)MOSFET基础(理解)
5、硅片工艺
(1)多晶硅制备(了解);
(2)单晶硅生长原理及直拉法,晶体掺杂:(掌握);
(3)切片工艺(理解)。
6、薄膜淀积
(1)化学气相淀积原理(理解);
(2)化学气相淀积工艺方法:常压,低压和等离子体增强化学气相淀积(理解);
(3)真空蒸镀工艺原理及蒸镀工艺(掌握);
(4)溅射工艺原理及直流,射频和磁控溅射工艺(掌握)。
7、光刻与刻蚀
(1)基本光刻工艺流程(掌握);
(2)光刻胶与曝光技术(理解);
(3)湿法刻蚀与干法刻蚀(理解);
(4)刻蚀技术进展(了解);
8、杂质掺杂
(1)硅的热氧化工艺与机理(掌握);
(2)硅的Deal-Grove热氧化模型(了解);
(3)热氧化生长速率与影响因素(理解);
(4)扩散机制与扩散工艺条件及方法(理解);
(5)离子注入原理与工艺流程(掌握);
三、题型结构
考试包含多种题型:名词解释、简答题、计算题。
四、其它要求
可携带计算器。
 
成都信息工程大学

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